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在这项研究中，技独家斩制造了基于A-CNT薄膜的增强模式FET。此外，公交CNTFET和IC在辐射环境中的应用引起了相当多的关注，因为它们具有较小的横截面、纳米级的强C-C键以及半导体通道的低原子序数。

澜科0辆这表明碳纳米管可以被认为是空间应用和其他高辐射环境中电子材料的优秀候选者。实验结果表明，技独家斩SIBs中的NSSNs@HMCS电极表现出出色的ICE、CE、倍率性能、比容量和容量保持率。公交问题在基于一些新兴半导体的晶体管和IC中更为严重。

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通过界面工程的手段，公交可以调整一维氧化锌基异质结构中载流子的行为以优化其光电性能。

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